光电转换元件结构和太阳能电池

摘要

本发明的课题在于通过降低接触电阻来改善光电转换元件结构的转换效率。本发明的p i n结构的光电转换元件结构，通过选择p型半导体的电荷带的上限的能级或n型半导体层的电子亲和力、与该半导体接触的金属层的功函数，与使用Al、Ag等作为电极时相比，使接触电阻降低。选择的金属层可以设置在由Al、Ag等形成的电极和半导体之间，也可以与n或p型半导体替换。

主权项

一种光电转换元件结构，其特征在于，包含第1电极层、第2电极层和在所述第1和第2电极层之间设置的1个或多个发电层合体，所述发电层合体包含p型半导体层、与该p型半导体层接触形成的i型半导体层和与所述i型半导体层接触形成的n型半导体层，所述1个发电层合体或所述多个发电层合体中的所述第1电极侧的发电层合体的所述p型半导体层与所述第1电极层接触，所述1个发电层合体或所述多个发电层合体中的所述第1电极侧的发电层合体的所述n型半导体层与所述第2电极层接触，所述第2电极层的至少与所述n型半导体层接触的部分包含具有与所述接触的n型半导体层的电子亲和力相比绝对值小的功函数的金属。