| 发明名称 | 建立场效晶体管噪声模型的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种建立场效晶体管噪声模型的方法，其特征在于，包括如下步骤：在多个不同晶粒上选取待测量的场效晶体管；分别测量所述场效晶体管在不同频率范围内的噪声，并计算各噪声的西格玛值；建立所述西格玛值随所述测量频率的分布图；利用所述分布图提取场效晶体管噪声SPICE模型参数，并进行蒙特卡罗仿真。采用本发明的方法建立的场效晶体管噪声SPICE模型更加准确。 | ||
| 申请公布号 | CN101957883A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN201010504688.9 | 申请日期 | 2010.10.12 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 余泳 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种建立场效晶体管噪声模型的方法，其特征在于，包括如下步骤：在多个不同晶粒上选取待测量的场效晶体管；分别测量所述场效晶体管在不同频率范围内的噪声，并计算各噪声的西格玛值；建立所述西格玛值随所述测量频率的分布图；利用所述分布图提取场效晶体管噪声SPICE模型参数，并进行蒙特卡罗仿真。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||