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Es wird ein integrierter Schaltkreis mit Mehrlagenverdrahtung vorgestellt, bei dem auf eine isolierende Schicht (IS) oberhalb eines Substrates (SU) eine erste Leiterbahnebene mit Leiterbahnen (AL1) aufgebracht und strukturiert wird. Darauf werden zwei Isolierschichten (IS1, IS2) , beispielsweise aus Polyimid bzw.Siliciumnitrid, aufgetragen und strukturiert, um Kontaktlöcher (KL) zu erzeugen. Erfindungsgemaß wird dann eine dritte Isolierschicht (IS3) z.B. aus Siliciumnitrid, aufgetragen und so strukturiert, daß in den Kontaktlöchern (KL) seitliche Flanken (F1) der ersten beiden Isolierschichten (IS1, IS2) bedeckt bleiben. Darauf wird eine zweite Leiterbahnebene aufgebracht und zu Leiterbahnen (AL2) strukturiert. Zwischen weitere, aufzubringende Leiterbahnebenen mit Leiterbahnen (AL3) werden jeweils weitere drei Isolierschichten (IS10, IS20, IS30) aufgetragen und strukturiert, entsprechend den ersten drei Isolierschichten (IS1, IS2, IS3). |
