发明名称 真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备
摘要 本实用新型提供一种真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备,它有一个镀膜室,镀膜室上接有真空抽气系统,在镀膜室的中间装有旋转工件架,镀膜室的相对两侧装有一组平面磁控溅射对靶,电源由一个中频电源或两个相对独立的直流或脉冲电源提供。在镀膜室的另外相对两侧装有一个或两个贵金属磁控溅射靶,贵金属材料可为黄金、玫瑰金、白银等。在该贵金属磁控溅射靶的溅射面上设置有屏蔽罩,可根据需要控制其开启或关闭,以保护贵金属磁控溅射靶在不使用时不受到污染。本实用新型镀膜速度快,镀膜质量高,其既可实现有序的单层合金膜的镀制,也可实现多层复合膜的镀制。
申请公布号 CN201722425U 申请公布日期 2011.01.26
申请号 CN201020146488.6 申请日期 2010.03.02
申请人 深圳森丰真空镀膜有限公司;森科五金(深圳)有限公司 发明人 汪友林
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备,它有一个镀膜室,镀膜室上接有真空抽气系统,在镀膜室的中间安装有旋转工件架,在镀膜室的相对两侧装有一组平面磁控溅射对靶,其与一中频电源或两个相对独立的直流或脉冲电源相连,其特征在于:在镀膜室的另外相对两侧装有一个或两个贵金属磁控溅射靶,在该贵金属磁控溅射靶的溅射面上设置有屏蔽罩。
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