发明名称 |
真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备 |
摘要 |
本实用新型提供一种真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备,它有一个镀膜室,镀膜室上接有真空抽气系统,在镀膜室的中间装有旋转工件架,镀膜室的相对两侧装有一组平面磁控溅射对靶,电源由一个中频电源或两个相对独立的直流或脉冲电源提供。在镀膜室的另外相对两侧装有一个或两个贵金属磁控溅射靶,贵金属材料可为黄金、玫瑰金、白银等。在该贵金属磁控溅射靶的溅射面上设置有屏蔽罩,可根据需要控制其开启或关闭,以保护贵金属磁控溅射靶在不使用时不受到污染。本实用新型镀膜速度快,镀膜质量高,其既可实现有序的单层合金膜的镀制,也可实现多层复合膜的镀制。 |
申请公布号 |
CN201722425U |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN201020146488.6 |
申请日期 |
2010.03.02 |
申请人 |
深圳森丰真空镀膜有限公司;森科五金(深圳)有限公司 |
发明人 |
汪友林 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备,它有一个镀膜室,镀膜室上接有真空抽气系统,在镀膜室的中间安装有旋转工件架,在镀膜室的相对两侧装有一组平面磁控溅射对靶,其与一中频电源或两个相对独立的直流或脉冲电源相连,其特征在于:在镀膜室的另外相对两侧装有一个或两个贵金属磁控溅射靶,在该贵金属磁控溅射靶的溅射面上设置有屏蔽罩。 |
地址 |
518101 广东省深圳市宝安区71区留仙一路引进工业大厦八楼 |