双载子矽控整流器电路以及其形成方法

摘要

一种用于静电放电防护之双载子矽控整流器之系统及其形成方法。此矽控整流器电路包括一双载子装置，形成于一半导体基板上。此双载子装置包括至少一N型井以及一P＋材料。N型井用以提供较高之电阻，而P＋材料则系做为一集极，以提供一高电阻。至少一N型防护环(guard ring)以及一P型防护环围绕于双载子装置，其中，当一静电放电事件发生时，双载子装置之N型井以及P＋材料所提供之高电阻会提高导通速率。