| 主权项 |
1.一种供相移一光束之装置,其包含:配置于半导体材料中的一光学波导器之一第一部位,该第一部位具有一第一导电类型;配置于半导体材料中的一光学波导器之一第二部位,该第二部位具有与该第一导电性类型相反的一第二导电性类型;配置于介于该光学波导器之该第一与第二部位之间的一绝缘部位;一第一接点,其耦合于该光学波导器的一第一位址,该第一位址系于被导引而穿越该光学波导器之一光束之一光学路径之外;以及一第一绝缘材料缓冲器,其系沿着该光学波导器且介于该第一接点以及该光束之光学路径之间而配置。2.如申请专利范围第1项之装置,其另包含:一第二接点,其于该光束之该光学路径之外的一第二位址耦合于该光学波导器;以及一第二绝缘材料缓冲器,其系沿着该光学波导器且介于该第二接点以及该光束之光学路径之间而配置。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该第一与第二绝缘材料缓冲器,系沿着该光学波导器之侧壁侧向配置而作为覆盖,以协助局限该光束于该光学波导器中。4.如申请专利范围第3项之装置,其中该第一与第二绝缘材料缓冲器,系被用作为电子绝缘器,以自该光束之光学路径绝缘第一与第二接点。5.如申请专利范围第2项之装置,其中该光学波导器包含一肋条型波导器,其中该第一部位包含该光学波导器的一主脉部分。6.如申请专利范围第5项之装置,其中该第一与第二接点被耦合于该光学波导器的该主脉部分。7.如申请专利范围第1项之装置,其中该光学波导器包含一肋条型波导器,其中该第二部位包含该光学波导器的一平板部分。8.如申请专利范围第1项之装置,其中光学波导器包含一带状波导器。9.如申请专利范围第1项之装置,其另包含一第三接点,其于该光学波导器之该光学路径之外的一第三位址耦合至该光学波导器之该第二部位。10.如申请专利范围第9项之装置,其中一第一绝缘材料缓冲器,其被配置于该第三接点以及该光束之光学路径之间。11.如申请专利范围第2项之装置,其另包含一第四接点,其于该光束之该光学路径之外的第四位址耦合于该光学波导器之第二部位。12.如申请专利范围第11项之装置,其中一第二绝缘材料缓冲器,其系介于该第四接点以及该光束之光学路径间的光学波导器而配置。13.如申请专利范围第1项之装置,其另包含一充电调变部位,其系沿着该光束之光学路径并接近介于该光学波导器之该第一与第二部位间之该绝缘部位而被调变,该充电调变部位系调变被导引穿越该光学波导器之该光束之一相。14.如申请专利范围第13项之装置,其中充电调变部位系随被第一接点耦合接收之讯号被调变。15.一种供相移一光束之方法,其包含:沿一光学路径导引一光束穿越配置于半导体材料内之一光学波导器;施加一电子讯号至一第一接点,该第一接点系耦合于光学波导器之一第一位址;以及自该光学路径绝缘该第一接点,以使该光束被一第一绝缘材料缓冲器导引,该第一绝缘材料缓冲器系沿着该光学波导器且介于该第一接点和该光束其光学路径间被配置。16.如申请专利范围第15项之方法,其另包含:施加一电子讯号至耦合于该光学波导器第二位址之一第二接点;以及自该光学路径绝缘该第二接点,以使该光束系被一第二绝缘材料缓冲器导引,该第二绝缘材料缓冲器系沿着介于该第二接点和该光束其光学路径间被配置。17.如申请专利范围第16项之方法,其另包含利用第一与第二绝缘材料缓冲器作为对光学波导器之侧边覆盖而局限光束于光学波导器内。18.如申请专利范围第15项之方法,其另包含随该电子讯号调变一充电调变部位,以使该光束系被导引而沿着该光学路径穿越该光学波导器。19.如申请专利范围第18项之方法,其另包含随该充电调变部位相移被导引沿着该光学路径穿越该光学波导器之该光束。20.如申请专利范围第15项之方法,其中该第一接点被耦合至配置于半导体材料内之该光学波导器之一第一部位,其中该第一部位具备一第一导电性类型,此方法另包含将一第三接点接地,该第三接点系耦合至配置于半导体材料内之该光学波导器之一第二部位,其中该第二部位具备与第一导电性类型相反的一第二导电性类型。21.如申请专利范围第20项之方法,其另包含自该光学路径绝缘该第三接点,以使该光束被一第一绝缘材料缓冲器导引,该第一绝缘材料缓冲器系沿着介于该第三接点和该光束其光学路径间被配置。22.一种光学系统,包含:一光学传送器以产生一光束;一光学耦合之光学接受器以接收光束;一介于该光学传送器与该光学接受器间光学耦合之光学元件,该光学元件包含一光学相移器以调变该光束之一相,该光学相移器包含:一配置于半导体材料内之一光学波导器之第一部位,该第一部位具有一第一导电性类型;一配置于半导体材料内之一光学波导器之第二部位,该第二部位具有相反于该第一导电性类型之一第二导电性类型;一配置介于该光学波导器之该第一与第二部位间的绝缘部位;一第一接点,其耦合于该光学波导器的一第一位址,该第一位址于被导引而穿越该光学波导器之一光束之一光学路径之外;以及一第一绝缘材料缓冲器,其系沿着该光学波导器且介于该第一接点以及该光束之光学路径之间而配置。23.如申请专利范围第22项之系统,其中该光学相移器另包含:一第二接点,其于该光束之该光学路径之外的一第二位址耦合于该光学波导器;以及一第二绝缘材料缓冲器,其系沿着该光学波导器且介于该第二接点以及该光束之光学路径之间而配置。24.如申请专利范围第23项之系统,其中该第一与第二绝缘材料缓冲器系沿着该光学波导器之侧壁被侧向配置作为覆盖,以协助局限该光束于该光学波导器内。25.如申请专利范围第24项之系统,其中该第一与第二绝缘材料缓冲器系被用作为电子绝缘器,以自该光束之光学路径绝缘第一与第二接点。26.如申请专利范围第23项之系统,其中光学相移器其另包含一第三接点,该第三接点系于该光学波导器之该光学路径外之一第三位址被耦合至该光学波导器之该第二部位。27.如申请专利范围第26项之系统,其中第一绝缘材料缓冲器系配置介于该第三接点与该光束之光学路径之间。28.如申请专利范围第22项之系统,其中该相移器其另包含一充电调变部位,其系沿着该光束之光学路径并接近介于该光学波导器之该第一与第二部位间之该绝缘部位而被调变,该充电调变部位系随一讯号调变被导引穿越光学波导器之该光束之一相。29.如申请专利范围第22项之系统,其中该光学相移器系包含于一光学调变器中以选择性地调变该光束。30.如申请专利范围第22项之系统,其中该光学相移器系包含于一光学切换器中以选择性地切换该光束。图式简单说明:第1图根据本发明之揭示为具配置于一接点与一光学路径之间绝缘材料缓冲器之光学元件其一实施例其截面图示。第2图根据本发明之揭示为说明被导引穿越具配置于一接点与一光学路径之间绝缘材料缓冲器之光学元件其一实施例的光束其全向量立体模型图形。第3图根据本发明之揭示为依据含配置于一接点与一光学路径之间绝缘材料缓冲器之光学元件其一实施例而说明接点损失与接点至波导器边缘距离之间相对关系之标绘图。第4图根据本发明之揭示为具配置于一接点与一光学路径之间绝缘材料缓冲器之光学元件其另一实施例的截面图示。第5图依据本发明实施例为包含一光学传送器与包含具有一光学相移其一实施例之光学接受器的系统其一实施例之块状图示。第6图依据本发明实施例为具一光学相移之光学切换器其一实施例之块状图示。第7图依据本发明实施例为包含Mach Zehnder干涉计(MZI)组态,其具一光学相移的一实施例,之光学调变器其一实施例的块状图示。 |
