发明名称 一种电光调Q激光谐振腔
摘要 本发明公开了一种电光调Q激光谐振腔,包括依次位于同一光路上的激光介质、电光调Q晶体和输出镜,激光介质的外端的端面上镀有激光波长的高反膜层和对泵浦光波长高透的膜层,泵浦源采用侧面或端面泵浦方式,其特征在于:所述电光调Q晶体靠近激光介质的通光面为切割面,该切割面上镀有增透膜层,电光调Q晶体远离激光介质的通光面与所述切割面的夹角等于α或90°-α,其中,α=90°-arctg(n),n为电光调Q晶体的折射率。电光调Q谐振腔内不需要插入布儒斯特起偏镜,减小了插入损耗,提高光学机械稳定性,缩短激光谐振腔长度。该自偏振电光调Q晶体可以是所有用于横向电光效应的电光调Q晶体,如BBO、RTP、LN等。谐振腔内只存在一种偏振状态,特别适合电光调Q的要求,在实际应用中可以起到将电光调Q晶体和布儒斯特镜合二为一的作用。
申请公布号 CN101719626B 申请公布日期 2011.01.19
申请号 CN200910272682.0 申请日期 2009.11.06
申请人 华中科技大学 发明人 齐丽君;朱长虹;朱晓;朱广志;郭飞
分类号 H01S3/16(2006.01)I;H01S3/115(2006.01)I 主分类号 H01S3/16(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 曹葆青
主权项 一种电光调Q激光谐振腔,包括依次位于同一光路上的激光介质(3)、电光调Q晶体和输出镜(6),激光介质(3)的外端的端面上镀有激光波长的高反膜层和对泵浦光波长高透的膜层,泵浦源(2)采用侧面或端面泵浦方式,其特征在于:所述电光调Q晶体靠近激光介质(3)的通光面为切割面,该切割面上镀有增透膜层,电光调Q晶体远离激光介质(3)的通光面与所述切割面的夹角等于α或90°‑α,其中,α=90‑arctg(n),n为电光调Q晶体的折射率。
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