氮化物类半导体叠层结构及半导体光元件以及其制造方法

摘要

本发明涉及氮化物类半导体叠层结构、半导体光元件以及其制造方法。本发明提供氮化物类半导体叠层结构，其包含采用了有机金属化合物的III族原料和包含肼衍生物的V族原料的低电阻的p型氮化物类半导体层。可以构成电阻值低的p型氮化物类半导体层的工作效率良好的氮化物类半导体叠层结构。其具备基板和在该基板上配设的、采用有机金属化合物的III族原料、包含氨和肼衍生物的V族原料及p型杂质原料而形成的、所含碳浓度为1×1018cm-3以下的p型氮化物类半导体层。

主权项

氮化物类半导体叠层结构的制造方法，其包含：在反应炉内安装基板，供给规定的V族原料，将基板温度上升到900℃以上且小于1200℃的工序；在该上升的基板温度下，使用氮气和氢气作为载气，以氢气的体积组成比为x、氮气的体积组成比为1‑x时，使1≥x≥0的同时，使肼衍生物与III族原料的供给摩尔比小于25、氨与肼衍生物的供给摩尔比为10以上且500以下，以各自规定的摩尔流量供给有机金属化合物的III族原料、包含氨和肼衍生物的V族原料和p型杂质原料，形成p型氮化物类半导体层的工序；停止有机金属化合物的III族原料和p型杂质原料的供给，将基板温度冷却到室温的工序。