发明名称 |
多晶硅生长工艺用坩埚装置 |
摘要 |
本实用新型属于一种利用定向凝固技术生长多晶硅设备中工艺用坩埚装置。核心是采用方形高纯石墨坩埚替代目前通常采用的方形高纯石英坩埚。高纯石英坩埚采用整块石墨毛坯加工而成,辅以相关的工艺设计(见附图),在坩埚内表面进行Si3N4,SiO/SiN或其他材料喷涂并高温固化,方形高纯石墨坩埚可以在多晶硅定向生长凝固炉中重复使用,可以大大降低多晶硅锭产出成本,从而降低硅片价格以利用于光伏产业发展。 |
申请公布号 |
CN201713324U |
申请公布日期 |
2011.01.19 |
申请号 |
CN200920147954.X |
申请日期 |
2009.04.01 |
申请人 |
北京京运通科技股份有限公司 |
发明人 |
冯焕培;黎志欣;王军 |
分类号 |
C01B33/021(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;F27B14/10(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/021(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种多晶硅定向凝固生长炉中工艺用坩埚装置,由方形或长方形整体石墨坩埚、坩埚内涂覆层组成,所述坩埚内涂层覆盖在所述石墨坩埚内壁上。 |
地址 |
100176 北京市北京经济技术开发区经海四路158号 |