半导体单晶制造装置

摘要

该半导体单晶制造装置具有坩锅、加热器、坩锅驱动装置、容纳所述坩锅和加热器的腔、以及向所述坩锅内供给混合有含有氢原子的含氢气体和惰性气体的混氢气体的混氢气体供给装置，所述混氢气体供给装置具备含氢气体供给机、惰性气体供给机、含氢气体流量控制器、惰性气体流量控制器、以及混合含氢气体和惰性气体而生成并蓄积混氢气体的缓冲罐。

主权项

一种半导体单晶制造装置，其具有蓄积半导体熔融液的坩锅、加热所述坩锅的加热器、旋转和/或升降所述坩锅的坩锅驱动装置、容纳所述坩锅和加热器的腔、以及向所述腔内供给混合有含有氢原子的含氢气体和惰性气体的混氢气体的混氢气体供给装置，其特征在于，所述混氢气体供给装置具备供给含有氢原子的含氢气体的含氢气体供给机、供给惰性气体的惰性气体供给机、控制由所述含氢气体供给机供给的含氢气体的流量的含氢气体流量控制器、控制由所述惰性气体供给机供给的惰性气体的流量的惰性气体流量控制器、和混合分别由所述含氢气体流量控制器和所述惰性气体流量控制器流出的含氢气体和惰性气体而生成并蓄积混氢气体的缓冲罐，控制所述缓冲罐的内压，使其在设定的压力范围内为加压状态。