半导体记忆装置

摘要

本发明系在由纵型电晶体SGT所构成之E／R型4T-SRAM中，实现较小之SRAM储存单位面积与稳定之动作裕度(margin)。在使用4个MOS电晶体及2个负载电阻元件所构成之静态型记忆体储存单位中，构成前述记忆体储存单位之MOS电晶体系形成于在埋入氧化膜上所形成之平面状矽层上，而前述平面状矽层系记忆节点，前述MOS电晶体之汲极、闸极、源极系呈垂直方向配置，而闸极系具有包围柱状半导体层之结构，负载电阻元件系实现由在前述平面状矽层上所形成之多晶矽插塞所形成之较小之面积之SRAM储存单位。