一种新型的抗总剂量辐照的CMOS集成电路

摘要

本发明公开了一种新型的抗总剂量辐照的CMOS集成电路，属于电子技术领域。本发明CMOS集成电路包括NMOS器件和PMOS器件，器件之间通过沟槽隔离，PMOS和PMOS之间的沟槽用隔离材料一填充，所述隔离材料一在总剂量辐照下产生固定正电荷，NMOS和NMOS之间用隔离材料二填充，所述隔离材料二在总剂量辐照下产生固定负电荷。此外，NMOS和PMOS之间的沟槽用所述隔离材料一和所述隔离材料二填充，其中所述隔离材料一靠近PMOS，所述隔离材料二靠近NMOS；或者NMOS和PMOS之间通过两个相邻的沟槽隔离，和PMOS相邻的沟槽用所述隔离材料一填充，和NMOS相邻的沟槽用所述隔离材料二填充。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。

主权项

一种新型的抗总剂量辐照的CMOS集成电路，包括NMOS器件和PMOS器件，器件之间通过沟槽隔离，PMOS器件和PMOS器件之间的沟槽用隔离材料一填充，所述隔离材料一在总剂量辐照下产生固定正电荷，其特征在于，NMOS器件和NMOS器件之间用隔离材料二填充，所述隔离材料二在总剂量辐照下产生固定负电荷，NMOS器件和PMOS器件之间的沟槽用所述隔离材料一和所述隔离材料二填充，其中所述隔离材料一靠近PMOS器件，所述隔离材料二靠近NMOS器件。