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发明名称
HIGH VOLTAGE CMOS DEVICE BY USING SILICON ON INSULATOR WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号
KR101008224(B1)
申请公布日期
2011.01.17
申请号
KR20030067553
申请日期
2003.09.29
申请人
发明人
分类号
H01L27/12
主分类号
H01L27/12
代理机构
代理人
主权项
地址
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