VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT EINER IN EINER DOPPELGRABENSTRUKTUR ANGEORDNETEN METALLISCHEN GATEELEKTRODE,申请号AT20070009105T-传众专利搜索

发明名称	VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT EINER IN EINER DOPPELGRABENSTRUKTUR ANGEORDNETEN METALLISCHEN GATEELEKTRODE
摘要
申请公布号	AT493756(T)	申请公布日期	2011.01.15
申请号	AT20070009105T	申请日期	2007.05.05
申请人	UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH	发明人	BEHAMMER, DAG
分类号	H01L21/335;H01L21/28	主分类号	H01L21/335
代理机构		代理人
主权项
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