LED外延结构

摘要

本实用新型公开了一种LED外延结构，包括氮化镓衬底层，在所述氮化镓衬底层上依次设有氮化镓缓冲层、N型氮化镓半导体层、多量子阱发光层、P型氮化镓半导体层、透明导电层，所以，在氮化镓衬底上生长氮化镓，晶格匹配度好，生长的外延层结构优良，而且氮化镓为导体，可以制作垂直结构的LED芯片，方便了生产制作。另外，采用多量子阱结构材料作为发光层，使得外延生长时生长温度提高，生长结构良好，能较好地抗静电和扩散电流。本实用新型结构设计合理、使用可靠、适合大批量生产，提高了企业产品质量。

主权项

LED外延结构，其特征在于：包括氮化镓衬底层，在所述氮化镓衬底层上依次设有氮化镓缓冲层、N型氮化镓半导体层、多量子阱发光层、P型氮化镓半导体层和透明导电层。