发明名称 |
利用等离子体离子注入的磁畴图案化 |
摘要 |
一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法,包含下列步骤:将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂;图案化该抗蚀剂,其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住;以及将该磁性薄膜暴露于等离子体,其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域,使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具,包含:真空腔室,其维持在接地电势;气体入口阀件,其配置以将受控的气体量引入腔室;磁盘承载装置,其配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘,使该些磁盘相隔,其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘;以及射频信号产生器,其电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室,由此可以在该腔室中点燃等离子体,并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件,包括磁阻式随机存取存储器件。 |
申请公布号 |
CN101946282A |
申请公布日期 |
2011.01.12 |
申请号 |
CN200980104827.4 |
申请日期 |
2009.02.11 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
史蒂文·维哈维伯克;马耶德·A·福阿德;尼蒂·M·克里希纳;奥姆卡拉姆·诺拉马苏;马哈林加姆·文卡特桑;卡迈什·吉里德哈 |
分类号 |
G11B5/84(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/84(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法,该方法包含下列步骤:将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂;图案化该抗蚀剂,其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住;以及将该磁性薄膜暴露于等离子体,其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域,使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |