发明名称 |
石斛属的快繁与离体保存方法 |
摘要 |
石斛属的快繁与离体保存方法:(1)取石斛属果实内种子或茎尖或带腋芽的幼茎,果实在纯乙醇中沾一下,然后在酒精灯火焰上燃烧然后取出种子用于接种;茎尖或幼茎在70%乙醇中浸一下,投入0.2%升汞8min,无菌水冲洗干净后接种在培养基中,待种子萌发长成原球茎或茎尖和幼茎长成拟原球茎,进行继代培养大量增殖,然后将原球茎或拟原球茎放在分化芽的培养基上,待芽条高2-3cm时转入生根培养基,长成具根和4-5片叶的试管苗;(2)将步骤(1)中所说的试管苗,在培养基为1/2MS+NAA1mg.L-1+S2%,温度为15-20℃中进行离体保存。 |
申请公布号 |
CN101213941B |
申请公布日期 |
2011.01.12 |
申请号 |
CN200810058044.4 |
申请日期 |
2008.01.18 |
申请人 |
中国科学院昆明植物研究所 |
发明人 |
龙春林;程治英;罗吉凤 |
分类号 |
A01H4/00(2006.01)I;A01N3/00(2006.01)I;C12N5/04(2006.01)N |
主分类号 |
A01H4/00(2006.01)I |
代理机构 |
云南协立专利事务所 53108 |
代理人 |
马晓青 |
主权项 |
石斛属的快繁与离体保存方法,其特征在于:(1)取石斛属果实内种子或茎尖或带腋芽的幼茎,果实在纯乙醇中沾一下,然后在酒精灯火焰上燃烧然后取出种子用于接种;茎尖或幼茎在70%乙醇中浸一下,投入0.2%升汞8min,无菌水冲洗干净后接种在培养基中,待种子萌发成原球茎或茎尖和幼茎长成拟原球茎,进行继代培养大量增殖,然后将原球茎或拟原球茎放在分化芽的培养基上,待芽条高2‑3cm时转入生根培养基,长成具根和4‑5片叶的试管苗;(2)将步骤(1)中所述的试管苗在培养基为1/2MS+NAA1mg.L‑1+S2%,温度为15‑20℃中进行离体保存。 |
地址 |
650204 云南省昆明市蓝黑路132号 |