一种硅基异质结太阳电池

摘要

本实用新型涉及一种硅基异质结太阳电池，结合了晶体硅与薄膜材料的特点，包括自上而下叠层结合的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层，n型非晶硅碳薄膜层与n型非晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，n型非晶硅薄膜层与n型微晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，从而形成一种非晶硅碳/非晶硅/微晶硅/晶体硅太阳电池结构，有利于减弱非晶硅薄膜的光致衰减效应，提高太阳电池的稳定性；利用不同带隙半导体材料组成的窗口效应，实现了异质结电池结构对不同频率波段光的选择吸收，增加了入射光的总体有效利用，以提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种硅基异质结太阳电池，包括n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层，其特征在于，所述的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层依序自上而下叠层结合；所述的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层掺杂浓度依次控制为n++、n+与n；所述的晶体硅材料层为p型硅基底层或进行了n型掺杂扩散处理的p型硅基底层；所述的n型非晶硅碳薄膜层与所述的n型非晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，所述的n型非晶硅薄膜层与所述的n型微晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构；所述的n型非晶硅碳薄膜层上有接触受光面电极；所述的晶体硅材料层下有背光面电极。