发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供了在具有在基板上层叠了多个半导体芯片的多级层叠构造的半导体装置中,连接基板和半导体芯片的布线可在半导体芯片的层叠方向上缩短的半导体装置及其制造方法。半导体装置具有安装基板10,将有源面相反侧的面与该安装基板10的安装面相对向安装的下级芯片20以及将有源面与该下级芯片20的有源面相对向安装的上级芯片30。而且,具有缓和安装基板10的安装面和下级芯片20的台阶的倾斜面的倾斜部40设置在下级芯片20的外周的至少一部分。而且,连接安装基板10和上级芯片30的上级用布线51经由倾斜部40的倾斜面敷设。
申请公布号 CN101937903A 申请公布日期 2011.01.05
申请号 CN201010218101.8 申请日期 2010.06.29
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 矢岛胜
分类号 H01L23/528(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/528(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 陈海红;刘瑞东
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备:第1半导体芯片,其具有第1有源面,成为该第1有源面的相反侧的接合面与基板的安装面接合;第2半导体芯片,其具有与上述第1有源面相对向的第2有源面,与上述第1半导体芯片层叠;倾斜部,其具有用于缓和上述第1有源面和上述安装面的台阶的倾斜面,在上述第1半导体芯片的外周的至少一部分掩埋上述台阶;以及第1布线,其经由上述倾斜部的倾斜面敷设在上述安装面和上述第1有源面之间,在上述第1有源面上与上述第2有源面具有的第1凸起连接。
地址 日本东京都