使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管、使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管的制造方法、以及非晶氧化物膜的制造方法

摘要

包含氢(或氘)的非晶氧化物被应用到晶体管的沟道层。因此，可以实现具有优秀的TFT特性的薄膜晶体管，所述优秀的TFT特性包括小的迟滞现象、常断操作、高导通/关断比、高饱和电流等等。此外，作为一种用于制造由非晶氧化物制成的沟道层的方法，在包含氢气和氧气的气体环境中执行成膜，以便可以控制非晶氧化物的载流子浓度。

主权项

一种场效应晶体管，包括：包含In或Zn的非晶氧化物膜的沟道层，其中，所述非晶氧化物膜表现出如下的电子载流子浓度和电子迁移率：即，当电子载流子浓度增加时，电子迁移率增加，其中，非晶氧化物膜包含1016到1020/cm3范围内的浓度的氢或氘原子，其中，包含氢或氘原子的非晶氧化物膜的组分由下面不包括氢或氘原子的等式表示：[(Sn1‑xM4x)O2]a·[(In1‑yM3y)2O3]b·[(Zn1‑zM2z)O]c，其中，满足0≤x≤1，0≤y＜1，0≤z＜1，0≤a＜1，0≤b＜1，0≤c＜1，以及a+b+c＝1，M4是具有比Sn小的原子序数的第IV族中的元素，M3是Lu或具有比In小的原子序数的第III族中的元素，以及M2是具有比Zn小的原子序数的第II族中的元素。