发明名称 | 具有全域快门及储存电容的背侧照明影像传感器 | ||
摘要 | 本发明是关于一种背侧照明成像传感器像素,其包含一光电二极管区域、一像素电路区域和一储存电容器。该光电二极管区域被配置在一半导体晶粒内用于累积一影像电荷。该像素电路区域被配置在该半导体晶粒上在该半导体晶粒的一前侧与该光电二极管区域之间。该像素电路区域与该光电二极管区域的至少一部分重迭。该储存电容器被包含在与该光电二极管区域重迭的该像素电路区域内且被选择性地耦合到该光电二极管区域以暂时储存在其上累积的影像电荷。 | ||
申请公布号 | CN101939982A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
申请号 | CN200980104572.1 | 申请日期 | 2009.01.27 |
申请人 | 美商豪威科技股份有限公司 | 发明人 | 张光斌;代铁军;杨洪利 |
分类号 | H04N5/335(2006.01)I | 主分类号 | H04N5/335(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 毛力 |
主权项 | 一种成像传感器像素,其包括:一光电二极管区域,其配置在一半导体晶粒内用于累积一影像电荷;一像素电路区域,其配置在该半导体晶粒内在该半导体晶粒的一前侧与该光电二极管区域之间,该像素电路区域与该光电二极管区域的至少一部分重迭;一互连扩散区域,其配置在该半导体晶粒内,该互连扩散区域被耦合到该光电二极管区域且朝着该半导体晶粒的该前侧延伸;及一储存电容器,其包含在与该光电二极管区域重迭的该像素电路区域内,且经由该互连扩散区域选择性地耦合到该光电二极管区域以暂时储存在其上累积的该影像电荷。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |