| 发明名称 | 在绝缘基底上沉积薄膜来制造加热元件的方法以及由此获得的元件 | ||
| 摘要 | 根据本方法：改变基底(1)的表面状态，以获得至少一个具有最低限度的粗糙度Ra的平滑区域(1a)-(1b)以及至少一个具有更高粗糙度Rax的区域(1c)；在上述各个区域(1a)、(1b)、(1c)上施加高导电材料(2)；将材料(2)的平滑区域(2a)和(2b)与电源(3)连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101939164A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN200980104511.5 | 申请日期 | 2009.01.26 |
| 申请人 | H.E.F.公司 | 发明人 | 菲利普·毛林-佩里耶;克里斯托弗·埃奥;伯努瓦·泰尔姆 |
| 分类号 | B32B17/10(2006.01)I;H01C7/00(2006.01)I;H01C17/065(2006.01)I;H05B3/84(2006.01)I;H05K1/16(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I | 主分类号 | B32B17/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李春晖;李德山 |
| 主权项 | 一种通过在绝缘基底(1)上沉积薄膜来制造加热元件的方法，其中：‑改变基底(1)的表面状态，以获得至少一个具有低粗糙度Ra的平滑区域(1a)‑(1b)以及至少一个具有更高粗糙度Rax的区域(1c)；‑在所述各个区域(1a)、(1b)、(1c)上施加高导电材料(2)；‑将所述材料(2)的平滑区域(2a)和(2b)与电源(3)连接。 | ||
| 地址 | 法国布德龙 | ||