发明名称 | 数据存储单元的辅助写入操作 | ||
摘要 | 本发明涉及数据存储单元的辅助写入操作。本发明公开了一种数据存储器及存储数据的方法,该数据存储器包含:输入端,用于接收数据值;至少一个存储单元,包含:反馈回路,用于存储该数据值;输出端,用于输出存储的数据值;该反馈回路接收较高电压及较低电压作为电源,数据存储器进一步包含:电压供应器,用于给数据存储器供电,该电压供应器输出高电压电平及低电压电平;写入辅助电路,其设置于该电压供应器与该至少一个存储单元之间,该写入辅助电路响应于脉冲信号而在该高电压电平与较低电压电平之间提供放电路径,且从而取决于该脉冲信号的宽度在某时间段内自高电压电平产生降低的内电压电平;及脉冲信号产生电路,用于产生脉冲信号。 | ||
申请公布号 | CN101937706A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
申请号 | CN201010220654.7 | 申请日期 | 2010.06.29 |
申请人 | ARM有限公司 | 发明人 | G·杨 |
分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王忠忠 |
主权项 | 一种数据存储器,其包含:输入端,其用于接收数据值;至少一个存储单元,其包含:反馈回路,其用于存储所述数据值;输出端,其用于输出所述经存储的数据值;所述反馈回路接收较高电压及较低电压作为电源,所述数据存储器进一步包含:电压供应器,其用于给所述数据存储器供电,所述电压供应器输出高电压电平及低电压电平;写入辅助电路,其设置于所述电压供应器与所述至少一个存储单元之间,所述写入辅助电路响应于脉冲信号而在所述高电压电平与较低电压电平之间提供放电路径,且从而取决于所述脉冲信号的宽度在某时间段内自所述高电压电平产生降低的内电压电平,所述降低的内电压电平低于所述高电压电平,以使得在由所述脉冲宽度确定的时间段内所述反馈回路在被供电时接收所述降低的内电压电平作为所述较高电压,且在其它时间接收所述高电压电平;以及脉冲信号产生电路,其用于产生所述脉冲信号。 | ||
地址 | 英国剑桥郡 |