| 摘要 |
<p>Изобретението се отнася до метод на получаване на нанослоеве от ВN, намиращи приложение като алтернативен диелектрик в прибори на базата на SiС и като подслой за епитаксиално израстване на GаN, поради съответствие на параметрите на решетката и като износо- и корозионноустойчив материал. Съгласно изобретението методът се реализира като се използва система за бързо термично отгряване, където сапфирената подложка с нанесен върху нея слой от В се поставя директно върху волфрамовия нагревател, като атмосферата във вакуумната камера предварително е наситена с NH3 до налягане 2.10"2 Тоrr. Нагряването е съпротивително, като зададената температура (1400 градуса С) се достига за 2 s, и от зададената температура вследствие на термичната дисоциация на NН3 на атомарен азот и водород протича химическо взаимодействие между бора и азота, водещо до образуване на нанослой (5-30 nm) от ВN, в зависимост от времето и температурата на процеса. Изобретението може да намери приложение в съвременните нанотехнологии, като алтернативен диелектрик и подслой при епитаксия на GаN върху силиций или сапфир, използвани във високотехнологичните процеси, а също и като износо- и корозионноустойчиво покритие.</p> |
