| 发明名称 | MOS晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管的制作方法，包括：对第一介质层和多晶硅层进行第一刻蚀，形成辅助硬掩膜层；对辅助硬掩膜层中的多晶硅层进行氧化，形成第一氧化层；进行第一注入，形成重掺杂源/漏极；去除第一氧化层；刻蚀辅助硬掩膜层，形成多晶硅栅电极和栅介质层；对多晶硅栅电极进行第二氧化，形成第二氧化层；在半导体衬底上、多晶硅栅电极两侧形成第一侧墙；进行第二注入，形成低掺杂源/漏极；形成第二介质层；进行退火。本发明通过调整MOS晶体管的工艺，先形成重掺杂源/漏极，再形成低掺杂源/漏极，且重掺杂源/漏极和低掺杂源/漏极仅经历一次退火，不会由于经过过长时间的退火引起扩散面积过大，有利于形成超浅结。 | ||
| 申请公布号 | CN101930922A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200910054094.X | 申请日期 | 2009.06.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层和多晶硅层；利用辅助掩膜版对第一介质层和多晶硅层进行第一刻蚀，形成辅助硬掩膜层；对辅助硬掩膜层中的多晶硅层进行氧化，在多晶硅层外围形成第一氧化层；进行第一注入，形成重掺杂源/漏极；去除第一氧化层；刻蚀辅助硬掩膜层，形成多晶硅栅电极和栅介质层；对多晶硅栅电极进行第二氧化，在多晶硅栅电极外围形成第二氧化层；在半导体衬底上、多晶硅栅电极两侧形成第一侧墙；进行第二注入，形成低掺杂源/漏极；形成第二介质层；进行退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||