太阳能电池和制造该太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。更具体地，本发明提供一种通过去除由用于隔离硅衬底的激光边缘隔离处理所形成的受损层并在其表面上覆盖保护层，能够将缺陷和电子-空穴复合减小到最少的硅太阳能电池和制造该硅太阳能电池的方法。

主权项

一种太阳能电池，其包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的半导体层，其形成在所述衬底上并具有与所述第一导电类型相反的导电类型；至少一个凹槽，其穿透所述第二导电类型的半导体层，并达到所述第一导电类型的半导体衬底的预定深度；形成在所述凹槽上的保护层；第一电极，其与所述第二导电类型的半导体层电接触；以及第二电极，其形成在所述第一导电类型的半导体衬底上。