| 发明名称 | CMOS串联比较器、单端COMS反相器及其各自的控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS串联比较器、单端COMS反相器及其各自的控制方法的控制方法；所述CMOS串联比较器的控制方法包括：所述CMOS串联比较器包含一单端CMOS反相器，所述单端CMOS反相器是由一NMOS及一PMOS互相耦合而成，该控制方法包括：提供一偏压电流至该NMOS，以提升该CMOS串联比较器的一共模电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101488755B | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200810000697.7 | 申请日期 | 2008.01.14 |
| 申请人 | 盛群半导体股份有限公司 | 发明人 | 陈议诚;蔡明棋 |
| 分类号 | H03M1/34(2006.01)I;H03K19/20(2006.01)I | 主分类号 | H03M1/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中联创和知识产权代理有限公司 11364 | 代理人 | 高龙鑫 |
| 主权项 | 一种CMOS串联比较器的控制方法，所述CMOS串联比较器包含一单端CMOS反相器，所述单端CMOS反相器是由一NMOS及一PMOS互相耦合而成，其特征在于，所述控制方法包括：提供一偏压电流至所述NMOS，以提升所述CMOS串联比较器的一共模电压。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市科学工业园区研新二路3号 | ||