干法刻蚀连接孔的方法

摘要

本发明公开了一种干法刻蚀连接孔的方法，用于对半导体器件的绝缘层进行刻蚀，形成连接孔，所述绝缘层包括在半导体衬底上依次形成的刻蚀终止层、低介电常数Low-K绝缘材料层和顶层Cap layer，该方法包括：在所述Cap layer上涂布光阻层；图案化所述光阻层；以图案化的光阻层为掩膜，依次对所述Cap layer和Low-K绝缘材料层进行刻蚀，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成连接孔；对形成连接孔后而暴露出的顶层进行表面处理(surface treatment)，在顶层与Low-K绝缘材料层的连接处形成平滑内侧壁。采用该方法有效解决了连接孔弓形轮廓的问题，使得所形成的连接孔具有较好的轮廓，可大大提高半导体元器件的电学性能。

主权项

一种干法刻蚀连接孔的方法，用于对半导体器件的绝缘层进行刻蚀，形成连接孔，所述绝缘层包括在半导体衬底上依次形成的刻蚀终止层、低介电常数Low K绝缘材料层和顶层Cap layer，其特征在于，该方法包括：在所述Cap layer上涂布光阻层；图案化所述光阻层；以图案化的光阻层为掩膜，依次对所述Cap layer和Low K绝缘材料层进行刻蚀，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成连接孔；对形成连接孔后暴露出的顶层进行表面处理surface treatment，在顶层与Low K绝缘材料层的连接处形成平滑内侧壁。