| 发明名称 | 在低电容瞬时电压抑制器(TVS)内整合控向二极管的优化配置 | ||
| 摘要 | 一种设置在半导体衬底上的瞬时电压抑制(TVS)器件，包括一个低端控向二极管和一个高端控向二极管，与主稳压二极管相连，以抑制瞬时电压。低端控向二极管和高端控向二极管与稳压二极管相连，设置在半导体衬底中，每一个二极管都包含一个纵向PN结，作为半导体衬底中的纵向二极管，用来减小瞬时电压抑制(TVS)器件所占的横向面积。在一个典型实施例中，高端控向二极管和稳压二极管沿竖直方向互相重叠，进一步减小瞬时电压抑制(TVS)器件所占的横向面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101930975A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200910205649.6 | 申请日期 | 2009.09.29 |
| 申请人 | 万国半导体有限公司 | 发明人 | 马督儿·博德 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种位于半导体衬底上的瞬时电压抑制器(TVS)器件，其特征在于，包括：一与主稳压二极管相连接的控向二极管对，以抑制瞬时电压，其中所述控向二极管对的每一控向二极管都与主稳压二极管相连，作为半导体衬底中的纵向二极管构成一个PN结，以此减小瞬时电压抑制器(TVS)器件所占的横向面积，并且其中所述控向二极管对包括一个高端控向二极管和一个低端控向二极管。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州桑尼维尔墨丘利大道495号 | ||