光刻机扫描曝光方法

摘要

本发明提供一种光刻机扫描曝光方法，其在光刻机的硅平面上设置相互正交的两个方向，并将所述硅平面分为若干曝光场区域，所述光刻机上设置有可变狭缝，所述可变狭缝在所述的两个方向上分别设置有刀口，先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光，当对曝光场区域其中一个方向扫描曝光时，所述可变狭缝在该方向的刀口从闭合状态开始逐渐打开至最大，再逐渐缩小至闭合状态。本发明通过先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光。改善了曝光场区域Y方向的剂量均匀性，又能改善X方向的剂量均匀性，从而改善曝光剂量的系统性能，提高光刻线宽的均匀性。

主权项

一种光刻机扫描曝光方法，在光刻机的硅平面上设置相互正交的两个方向，并将所述硅平面分为若干曝光场区域，所述光刻机上设置有可变狭缝，所述可变狭缝在所述的两个方向上分别设置有刀口，其特征在于：先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光；当对曝光场区域其中一个方向扫描曝光时，所述可变狭缝在该方向的刀口从闭合状态开始逐渐打开至最大，再逐渐缩小至闭合状态；对曝光场区域其中一个方向扫描曝光前，所述可变狭缝在该方向的刀口保持闭合状态，所述可变狭缝在另一个方向的刀口调整到比全开略小的宽度，以遮去曝光场区域光强分布中该另一个方向的梯形边缘的光。