| 摘要 |
1. КМОП устройство, включающее n-МОП участок и р-МОП участок, при этом каждый из n-МОП и р-МОП участков содержит: ! зародышевый слой на подложке, содержащий антимонид алюминия; ! первый буферный слой на зародышевом слое, содержащий антимонид алюминия; ! нижний барьерный слой, причем нижний барьерный слой содержит антимонид алюминия-индия; ! канал квантовой ямы на нижнем барьерном слое, причем канал квантовой ямы содержит антимонид индия; ! разделительный слой на канале квантовой ямы; и ! дельта-легированный слой на разделительном слое, причем дельта-легированный слой на n-МОП участке и дельта-легированный слой на р-МОП участке содержит различные легирующие примеси; ! барьерный слой на дельта-легированном слое; ! при этом каждый из слоев, зародышевый слой и буферный слой, состоят, по существу, из одинаковых материалов на n-МОП участке и на р-МОП участке. ! 2. Устройство по п.1, в котором каждый из участков, n-МОП участок и р-МОП участок, содержит нижний барьерный слой на буферном слое, причем нижний барьерный слой содержит антимонид индия-алюминия и состоит, по существу, из одного и того же материала на n-МОП участке и р-МОП участке. ! 3. Устройство по п.2, в котором каждый из участков n-МОП участок и р-МОП участок содержит слой квантовой ямы на нижнем барьерном слое, причем слой квантовой ямы содержит антимонид индия. ! 4. Устройство по п.3, в котором каждый из участков n-МОП участок и р-МОП участок, содержит разделительный слой на слое квантовой ямы, причем разделительный слой содержит антимонид индия-алюминия. ! 5. Устройство по п.4, в котором n-МОП участок содержит дельта-легированный слой n-типа проводимости на разделительном слое, и |
