具有稳定微结构的相变存储器装置及集成电路的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有稳定微结构的相变存储器装置及集成电路的制造方法。此相变材料元件在主动区中具有经修改的化学计量，其在设定状态中并不展现出电阻的漂移。一种制造此存储器装置的方法，包含：首先制造包含相变存储单元的阵列的集成电路，相变存储单元的阵列具有具总体化学计量的相变材料的主体；接着将成形电流施加至阵列中的相变存储单元，以使相变材料的主体的主动区中的总体化学计量改变为经修改的化学计量，而不干扰主动区外部的总体化学计量。总体化学计量的特征在于主动区外部的热力学条件下的稳定性，而经修改的化学计量的特征在于主动区内部的热力学条件下的稳定性。

主权项

一种制造集成电路的方法，其特征在于，包括：在一集成电路基板上提供一相变存储单元的一阵列，该相变存储单元在具有一总体化学计量的一相变材料的主体内具有一主动区；以及将一成形电流施加至该阵列中的该相变存储单元，以在该主动区中形成具有一经修改的化学计量的该相变材料，该经修改的化学计量不同于该总体化学计量。