发明名称 |
基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法 |
摘要 |
一种纳米器件技术领域的基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法,通过在硅片上采用标准的光刻和lift-off工艺制作出电极对,然后将碳化硅纳米线分散于溶剂中经进行低温超声分散得到稳定的碳化硅纳米线溶液,在电极对上施加交流信号电压后,将碳化硅纳米线溶液滴在电极对之间,使纳米线在电场力和力矩的作用下实现定向排布。本发明通过简单、方便、高效的工艺方法,实现碳化硅纳米线在电极间的定向排布。 |
申请公布号 |
CN101924028A |
申请公布日期 |
2010.12.22 |
申请号 |
CN201010270528.2 |
申请日期 |
2010.09.02 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
张亚非;戴振清;徐东;张丽英;陈海燕 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
一种基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,电极制备:在硅片上采用标准的光刻和lift off工艺制作出电极对;第二步,SiC纳米线溶液制备:将SiC纳米线分散于溶剂中经进行低温超声分散得到稳定的SiC纳米线溶液;第三步,SiC纳米线的介电泳排布:在电极对上施加交流信号电压后,将SiC纳米线溶液滴在电极对之间,使纳米线在电场力和力矩的作用下实现定向排布。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |