发明名称 |
耐蚀刻晶片处理装置和其制造方法 |
摘要 |
通过以下制造一种晶片处理装置:沉积薄膜电极到基底衬底的表面上,然后用保护涂层薄膜层覆盖该结构,该保护涂层薄膜层包括选自B、Al、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属及其组合中的元素的氮化物、碳化物、碳氮化物或氧氮化物的至少一种。该薄膜电极具有紧密匹配下面基底衬底层的热膨胀系数(CTE)和保护涂层的CTE的CTE。 |
申请公布号 |
CN101026119B |
申请公布日期 |
2010.12.22 |
申请号 |
CN200610172450.4 |
申请日期 |
2006.12.21 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
W·范;A·桑;J·伦纳茨;T·W·金 |
分类号 |
H01L21/683(2006.01)I;H02N13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/683(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
吕彩霞;段晓玲 |
主权项 |
一种晶片处理装置,包括用于放置要被处理的具有各种尺寸的物体的平台,该平台具有:基底衬底,该基底衬底包括石墨、难熔金属、过渡金属、稀土金属和它们的合金中的至少一种;布置在基底衬底上的电绝缘层,该层包括选自Al、B、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属和其组合中的元素的氧化物、氮化物、氧氮化物的至少一种;布置在电绝缘层上的薄膜电极;布置在薄膜电极上的至少一个涂层,该涂层包括选自B、Al、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属和其组合中的元素的氮化物、碳化物、碳氮化物、氧氮化物的至少一种;其中:薄膜电极的热膨胀系数为电绝缘层和涂层各自热膨胀系数的0.75 1.25倍;电绝缘层和涂层包括相同的材料或不同的材料;通过以下中的至少一种来沉积薄膜电极:丝网印刷、旋涂、等离子体喷涂、喷涂热解、反应喷涂沉积、溶胶 凝胶、燃烧炬、电弧、离子镀、离子植入、溅射沉积、激光烧蚀、蒸发、电镀和激光表面合金化;通过以下中的至少一种在薄膜电极上沉积涂层:膨胀热等离子体、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、金属有机化学气相沉积、金属有机气相外延、溅射、电子束和等离子体喷涂。 |
地址 |
美国纽约州 |