电视机和电子设备以及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。

主权项

一种半导体器件的制作方法：在绝缘表面上形成栅电极，在上述栅电极上形成栅绝缘膜，在上述栅绝缘膜上形成第1半导体区域，在上述第1半导体区域上掺杂由钨、钼、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钴、镍、铂的一种或多种形成的催化剂元素并加热后，在上述第1半导体区域上形成具有杂质元素的第2半导体区域，将上述第1半导体区域及上述第2半导体区域加热后，利用滴注喷射法形成与上述第2半导体区域连接的第1导电层，将上述第1导电层及上述第2半导体区域的一部分刻蚀，形成第2导电层及源极区和漏极区，在上述第2导电层上形成绝缘膜，将上述绝缘膜及上述栅绝缘膜的一部分刻蚀，露出上述栅电极的一部分之后，利用滴注喷射法形成与上述栅电极连接的第3导电层。