发明名称 一种NAND闪存的转换层读写方法
摘要 本发明公开了一种NAND闪存的转换层读写方法,包括以下步骤:(1)系统启动还原掉电前NAND闪存的转换层的数据链;(2)检查数据链并修复;(3)检查当前可用块的数目;(4)等待系统调用;(5)根据系统调用命令进行相应的读写操作。其中,所述系统调用的读或者写操作如果符合多平面读或写操作,则使用这种方式读或写,如果系统调用的读命令为单平面读或写操作,则直接读出或写入相应页数据。本发明方法能够实现NAND闪存的均衡擦写,提高NAND闪存的寿命,使用NAND闪存的MULTIPLANE方式写,从而为整体写文件提速,从而提高读写的性能,实现NAND闪存的逆序写,提升跳写、回头写的性能。
申请公布号 CN101923448A 申请公布日期 2010.12.22
申请号 CN201010111726.4 申请日期 2010.02.08
申请人 安凯(广州)微电子技术有限公司 发明人 艾骏;易若翔;胡胜发
分类号 G06F3/06(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I;G06F11/00(2006.01)I 主分类号 G06F3/06(2006.01)I
代理机构 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人 宣国华
主权项 一种NAND闪存的转换层读写方法,其特征在于包括以下步骤:(1)、系统启动,从NAND闪存中读出所有物理块中的数据链的信息,还原掉电前NAND闪存的转换层的数据链;(2)、检查数据链是否因坏块或者掉电而被损坏,并对所述数据链进行修复;(3)、检查当前可用块的数目,如果可用块的数目小于系统给定的一个阀值时,则进行垃圾块回收过程;(4)、等待系统调用;(5)、根据系统调用命令中所要求的NAND闪存的转换层的逻辑地址找到与所述逻辑地址对应的数据链;如果系统调用命令为读命令将转向第(6)步,如果为写命令将转向第(8)步;(6)、查找读命令所要求的当前数据链的逻辑页,如果所述逻辑页中的所有物理页都是空页,将直接返回0Xff数据;否则,读出逻辑页中的最靠近数据链表头的非空物理页中的数据,并返回;(7)、读完操作后,返回第(4)步继续等待;(8)、查找写命令所要求的当前数据链的逻辑页,如果所述逻辑页的物理页中存在可用的物理页,则对该物理页进行写操作,如果不存在可用的物理页,则执行第(9)步;(9)、从系统可用块中分配一组新的物理块,并将数据写入所述新的物理块中;(10)、如果写成功,则将新的物理块加入到当前数据链中,并返回到第(4)步等待系统调用,如果写失败,则将该新的物理块标记为坏块,退回到第(9)步。
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