用于执行暗场双偶极子光刻(DDL)的方法及设备

摘要

本发明提供一种用于执行暗场双偶极子光刻的方法。该方法包括以下步骤：识别具有包括水平和垂直特征的多个特征的目标图案；基于目标图案生成水平掩模，其中水平掩模包括低对比度垂直特征。水平掩模的生成包括以下步骤：优化在水平掩模中所包含的低对比度垂直特征的偏离；以及将散射条施加到水平掩模上。该方法还包括：基于目标图案生成垂直掩模，其中垂直掩模包含低对比度水平特征，垂直掩模的生成包括以下步骤：优化在垂直掩模中所包含的低对比度水平特征的偏离；以及将散射条施加到垂直掩模上。以及提供一种用于执行该方法的设备。

主权项

一种生成用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的方法，所述方法包括以下步骤：识别具有多个特征的目标图案，所述多个特征包括水平和垂直特征；基于所述目标图案生成水平掩模，所述水平掩模包括低对比度特征，所述水平掩模的所述生成包括以下步骤：优化在所述水平掩模中所包含的所述低对比度特征的偏离；以及将散射条施加到所述水平掩模上；以及基于所述目标图案生成垂直掩模，所述垂直掩模包含低对比度特征，所述垂直掩模的所述生成包括以下步骤：优化在所述垂直掩模中所包含的低对比度特征的偏离；将散射条施加到所述垂直掩模上。