防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法。该MOS器件结构，包括Si衬底和位于Si衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区、漏区及沟道两侧与Si衬底之间设有绝缘埋层，在沟道中部与Si衬底之间设有SiGe隔层。该MOS器件结构的沟道可以通过SiGe隔层向Si衬底导电导热，防止了器件的浮体效应及自加热效应；在源漏区及沟道两侧与Si衬底之间保留绝缘埋层，可减小源漏区的寄生电容。该器件结构采用Si/SiGe/Si外延层通过刻蚀、掺杂、选择性刻蚀、填充绝缘介质等工艺制备，其步骤简单，易于实施，具有重要的应用价值。

主权项

一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构，其特征在于，包括：Si衬底、有源区、栅区、绝缘埋层、SiGe隔层和浅沟槽隔离结构；所述有源区位于Si衬底之上，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区；所述栅区位于沟道之上；所述有源区与Si衬底由所述绝缘埋层和SiGe隔层隔开，所述SiGe隔层设置在沟道中部与Si衬底之间，所述绝缘埋层设置在所述源区、漏区以及沟道两侧与Si衬底之间，将所述SiGe隔层包围；对于NMOS器件，SiGe隔层采用P型的SiGe材料；对于PMOS器件，SiGe隔层采用N型的SiGe材料；所述浅沟槽隔离结构设置在有源区周围。