薄膜晶体管基板及其制造

摘要

本发明提供了一种具有半导体层的薄膜晶体管基板，该半导体层包括低浓度区和与在由多晶硅构成的沟道区两侧的低浓度区相邻的源区/漏区；栅极绝缘层和导体层，其位于基板上，图样化导体层以形成栅电极。

主权项

一种薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法，包括：设置具有半导体层的基板，所述半导体层包括低浓度区以及与在由多晶硅构成的沟道区两侧的所述低浓度区相邻的源区/漏区；以及在所述基板上顺序地形成栅极绝缘层和导电层，并且图样化所述导电层以形成栅电极，其中，所述设置所述基板的步骤包括：在具有多晶硅层的所述基板上形成光刻胶图样，所述光刻胶图样包括与所述沟道区和所述低浓度区重叠的高层部分、以及与所述高层部分的两侧相邻设置并与所述源区/漏区重叠的低层部分；使用所述光刻胶图样作为蚀刻掩模来图样化所述多晶硅层，以形成所述半导体层；去除所述光刻胶图样的所述低层部分，以形成第一离子注入掩模结构；使用所述第一离子注入掩模结构作为离子注入掩模，将高浓度杂质离子注入到所述半导体层中，以形成所述源区/漏区；将去除了所述低层部分的所述光刻胶图样的侧壁与在所述半导体层的所述低浓度区和所述沟道区之间的边界基本对准，以形成第二离子注入掩模结构；以及使用所述第二离子注入掩模结构作为离子注入掩模，将低浓度杂质离子注入到所述半导体层中，以形成所述低浓度区。