发明名称 Mikrostruktur zur Bildung eines Substrats aus Silizium und Germanium auf einem Isolator und vom Typ Si1-XGeX
摘要
申请公布号 DE602007010197(D1) 申请公布日期 2010.12.16
申请号 DE200760010197T 申请日期 2007.02.13
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES 发明人 DAMLENCOURT, JEAN-FRANCOIS;COSTA, REMI
分类号 H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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