| 发明名称 | 一种防止晶圆表面氧化膜破坏的晶圆清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种防止晶圆表面氧化膜破坏的晶圆清洗方法涉及化学机械研磨装置及晶圆清洗技术。现有的晶圆清洗方法存在水压无法调节，导致晶圆表面氧化膜破坏并出现“X”型缺陷的问题。本发明的一种防止晶圆表面氧化膜破坏的晶圆清洗方法，包括下列步骤：(1)在晶圆清洗装置的晶圆清洗单元的水流传送管道上设置一水压调节阀；(2)装载一晶圆，使其表面面向晶圆清洗单元的数个喷嘴；(3)冲洗晶圆，并通过水压调节阀将水柱的高度粗调至晶圆表面的位置；(4)停止冲洗，并卸载晶圆。利用本发明的装置和方法能够方便、快速地调节水压大小，有效地防止晶圆表面的氧化膜因水压过高而被破坏，从而使晶圆生产的良率有所提升。 | ||
| 申请公布号 | CN101172278B | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN200610117987.0 | 申请日期 | 2006.11.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张守龙;张传民;邵群;邱柏诚 |
| 分类号 | B08B3/02(2006.01)I;B08B13/00(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种防止晶圆表面氧化膜破坏的晶圆清洗方法，其特征在于，所述的方法包括下列步骤：(1)在晶圆清洗装置的晶圆清洗单元的水流传送管道上设置一水压调节阀；(2)装载一晶圆，使其表面面向晶圆清洗单元的数个喷嘴；(3)冲洗晶圆，并通过水压调节阀将水柱的高度粗调至晶圆表面的位置；(4)停止冲洗，并卸载晶圆。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||