| 发明名称 | 有机半导体器件和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一个目的在于提供用于制造便宜有机TFT的一种方法，而不依赖昂贵专用设备，也不使有机半导体暴露于大气中。此外，本发明另一目的在于提供一种在低温下制造有机TFT的方法，而不引起材料热分解的问题。鉴于上述问题，本发明的一个特征在于在有机半导体薄膜形成一层起保护膜作用的薄膜状保护层。该薄膜状保护层可通过用粘接剂等将其固定在薄膜状支撑体上的方法形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101916826A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN201010251935.9 | 申请日期 | 2004.12.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 平形吉晴;石谷哲二;深井修次;今林良太 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L27/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 林毅斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，所述半导体器件包括：在绝缘膜上形成的有机半导体薄膜；和在所述有机半导体薄膜上形成的保护膜，其中所述保护膜具有绝缘性质。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||