| 发明名称 | 硅片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅片的制造方法，所述硅片的制造方法具有使用硅锭切割用浆液由硅锭切出具有预定的表面粗糙度的硅块的步骤、以及由所述硅块切出分别具有预定的厚度的硅片的步骤，所述硅锭切割用浆液含有磨粒和碱性物质，所述浆液含有相对于所述浆液的液体成分中的水分的质量比为0.5以上、5.0以下的有机胺，所述浆液的pH值为12以上，且在65℃以上、95℃以下的温度下使用所述浆液，所述预定的表面粗糙度被设定成基板损坏改善率为80％以上的区域的上限值以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101913209A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN201010255701.1 | 申请日期 | 2005.05.11 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 森川浩昭;唐木田昇市;河嵜贵文 |
| 分类号 | B28D5/04(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I | 主分类号 | B28D5/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 一种硅片的制造方法，所述硅片的制造方法具有使用硅锭切割用浆液由硅锭切出具有预定的表面粗糙度的硅块的步骤、以及由所述硅块切出分别具有预定的厚度的硅片的步骤，其特征在于，所述硅锭切割用浆液含有磨粒和碱性物质，所述浆液含有相对于所述浆液的液体成分中的水分的质量比为0.5以上、5.0以下的有机胺，所述浆液的pH值为12以上，且在65℃以上、95℃以下的温度下使用所述浆液，所述预定的表面粗糙度被设定成基板损坏改善率为80％以上的区域的上限值以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||