| 发明名称 | 横向扩散金属氧化物晶体管及静电保护架构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物晶体管及静电保护架构，该横向扩散金属氧化物晶体管包括：第一类型衬底；栅极，形成于第一类型衬底上；第二类型轻掺杂区，形成于第一类型衬底中；第一类型高压阱区，形成于第二类型轻掺杂区中；第二类型高压阱区，形成于第二类型轻掺杂区中；第一类型衬底电极区，形成于第一类型高压阱区中；第二类型源极区，形成于第一类型高压阱区中；第二类型漏极区，形成于第二类型高压阱区中；衬底金属电极，直接与第一类型衬底电极区连接；源极金属电极，直接与第二类型源极区连接；漏极金属电极，直接与第二类型漏极区连接；栅极金属电极，直接与栅极连接。本发明可提高横向扩散金属氧化物晶体管的静电放电能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101916777A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN201010229351.1 | 申请日期 | 2010.07.16 |
| 申请人 | 中颖电子有限公司 | 发明人 | 吴炜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种横向扩散金属氧化物晶体管，包括：第一类型衬底；栅极，形成于所述第一类型衬底上；第二类型轻掺杂区，形成于所述第一类型衬底中；第一类型高压阱区，形成于所述第二类型轻掺杂区中；第二类型高压阱区，形成于所述第二类型轻掺杂区中；第一类型衬底电极区，形成于所述第一类型高压阱区中；第二类型源极区，形成于所述第一类型高压阱区中；第二类型漏极区，形成于所述第二类型高压阱区中；衬底金属电极，直接与所述第一类型衬底电极区连接；源极金属电极，直接与所述第二类型源极区连接；漏极金属电极，直接与所述第二类型漏极区连接；栅极金属电极，直接与所述栅极连接。 | ||
| 地址 | 200335 上海市金钟路767弄3号楼 | ||