| 主权项 |
一种用于一半导体积体电路之导电结构，其中该半导体积体电路包含一衬垫(Pad)及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸之一第一开口区域，该导电结构适可透过该第一开口区域，与该衬垫呈电性连接；该导电结构包含：一支撑层，覆盖该第一开口区域之一边缘，并定义出具有一第二横向尺寸之一第二开口区域；一导体，形成于该第二开口区域内；以及一导电层，其具有一中央区域及一周缘区域；其中该中央区域实质上形成于该导体与该衬垫之间；该周缘区域，形成于该中央区域之一外缘，且至少局部形成于该支撑层与该保护层之间；该周缘区域具有一第一部份及一第二部份，该中央区域及该周缘区域之第一部份，均具有一第一纵向尺寸，而该周缘区域之第二部份，具有一第二纵向尺寸；其中该第二横向尺寸实质上不大于该第一横向尺寸，该第二纵向尺寸实质上大于该第一纵向尺寸。如请求项1之导电结构，其中该支撑层具有一第三纵向尺寸，该导体具有一第四纵向尺寸，该第四纵向尺寸实质上不小于该第三纵向尺寸。如请求项1之导电结构，其中该导电层系由钛钨合金所制成。如请求项1之导电结构，其中该支撑层材料系选自PI与BCB之材料族群中。一种用于一半导体积体电路之导电结构之成形方法，其中该半导体积体电路包含一衬垫(Pad)，及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸之一第一开口区域，该方法包含下列步骤：(a)形成一导电层，使其一中央区域，座落于该第一开口区域内，并使其一周缘区域，从该中央区域延伸于该保护层上；(b)形成一支撑层于该导电层上，该支撑层至少局部覆盖于该导电层之周缘区域，以定义具有一第二横向尺寸之一第二开口区域，其中该第二横向尺寸实质上不大于该第一横向尺寸；以及(c)形成一导体于该第二开口区域内，以使该导体适可透过该第一开口区域的该导电层，与该衬垫呈电性连接。如请求项5之方法，其中该步骤(c)中，该导体系持续形成至该导体之一第四纵向尺寸，实质上不小于该支撑层之一第三纵向尺寸为止。 |
