| 主权项 |
一种静压滑块，其系包含：固定体；及在使藉由加压流体形成之静压流体层夹介于与前述固定体之间之状态下，设为对前述固定体可相对移动之活动体者，另外包含有：第1导体层，形成于前述固定体；及第2导体层，藉由作用于与前述第1导体层之间之静电力，将至少一部分之与前述第1导体层之距离设为可变化。如请求项1之静压滑块，其中系以根据前述第1及第2导体层之间之静电电容，将作用于前述第1及前述第2导体层之间之静电力之大小予以调整之方式构成。如请求项1之静压滑块，其中于前述第1导体层与前述第2导体层之间，系藉由将电位差赋予该等之间而使静电力作用。如请求项1之静压滑块，其中前述第1及前述第2导体层中之一方之导体层系作成使电介质夹介于与另一方之导体层对向之对向导体膜及非对向导体膜之间之构成，而且，在前述第1导体层与前述第2导体层之间，系藉由将电位差赋予各个导体层之前述对向导体膜及前述非对向导体膜之间而使电荷带电于各个对向导体膜之表面，以使静电力作用。如请求项1之静压滑块，其中前述活动体系包含：活动体本体；及位移体，其系支持于前述活动体本体且将相对于前述固定体之距离设为可变化，且前述第2导体层系与前述位移体一体将相对于前述第1导体层之距离设为可变化。如请求项5之静压滑块，其中另外包含有用以将前述活动体本体与前述位移体之间予以密封之密封构件，且前述密封构件系以在藉由前述位移体赋能之状态下配置。如请求项1之静压滑块，其中前述第2导体层系经由弹性体而固定于前述活动体，且藉由前述弹性体弹性变形，而将相对于前述第1导体层之距离设为可变化。如请求项1之静压滑块，其中前述第2导体层系包含相对于前述活动体而固定之固定部；及相对于前述第1导体层之距离为可变化之非固定部。如请求项8之静压滑块，其中前述第2导体层系为藉由静电力而可变形或位移之薄板，且前述薄板系以一端部构成前述固定部，另一方面由设为自由端之另一端部构成前述非固定部。如请求项4之静压滑块，其中前述第2导体层系由其周围藉由支持座所包围，并且设为与前述活动体分离之独立构件。如请求项10之静压滑块，其中于前述活动体系于前述支持座所接触之部分固定有弹性体。如请求项1之静压滑块，其中前述第1及第2导体层之表面系形成为最大高度Rz为1 μm以下之滑面。如请求项1之静压滑块，其中前述第1及第2导体层系藉由导电性材料而形成为厚膜。如请求项1之静压滑块，其中前述第1及第2导体层系藉由非磁性材料而形成。一种搬运装置，系包含：静压滑块，其系如请求项1至14中任一项记载者，且用以使支持于前述活动体之工件移动；及容器，其系收容前述静压滑块。一种处理装置，系包含：静压滑块，其系如请求项1至14中任一项记载者，且用以使支持于前述活动体之工件移动；容器，其系收容前述静压滑块；及处理元件，其系用以对前述工件进行目的之检查或施以加工。如请求项16之处理装置，其中前述处理元件系为扫描型电子显微镜、电子束描绘装置、聚焦离子束描绘装置、或X光曝光装置。 |
