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一种磁性记忆元件之记忆单元，包含：一具有一第一固定磁化向量之第一硬式磁层；一具有一第二固定磁化向量之第二硬式磁层；一第一软式磁层，该第一软式磁层具有一第一可变磁化向量并被设置于该第一硬式磁层附近；以及一第二软式磁层，该第二软式磁层具有一第二可变磁化向量并被设置于该第二硬式磁层附近；一导电层，该导电层被设置于该第一及该第二软式磁层之间以使一电流通过；其中该第一及该第二软式磁层被磁静电式且反平行地互相耦合以形成一通量闭锁结构，且该第一及该第二硬式磁层被设置于该第一及该第二软式磁层之间。如申请专利范围第1项之记忆单元，其中该第一及该第二软式磁层被设置于该第一及该第二硬式磁层之间。如申请专利范围第1项之记忆单元，进一步包含一抗铁磁层，该抗铁磁层被设置于该第一和该第二硬式磁层中之任一者附近，以固定其中之该磁化向量的该方位。如申请专利范围第3项之记忆单元，进一步包含一设置于该第一和该第二硬式磁层中之任一者附近之辅助磁层，其中该辅助磁层具有一与该第一和该第二硬式磁层中之任一者反平行配向之磁化向量，以缩小其静电磁场。如申请专利范围第1项之记忆单元，其中该记忆单元被设计成允许一电流朝一第一方向通过，且该第一和该第二硬式磁层之该等磁化向量中之至少一者沿一与该第一方向呈倾斜之第二方向被定位。一种磁性记忆元件，该磁性记忆元件包含复数个如申请专利范围第1项之记忆单元。如申请专利范围第6项之磁性记忆元件，进一步包含一耦合至该等复数个记忆单元之导电线。如申请专利范围第7项之磁性记忆元件，进一步包含复数个闸元件，各该闸元件透过该导电线被耦合至该等复数个记忆单元，以可控制地透过该导电线将一电流供应至各该记忆单元。如申请专利范围第7项之磁性记忆元件，其中该导电线被用以执行一写入动作及一读取动作。一种磁性记忆元件之记忆单元，包含：一具有一第一固定磁化向量之第一硬式磁层；一具有一第二磁化向量之第二硬式磁层；一第一软式磁层，该第一软式磁层被设置于该第一硬式磁层附近并具有一第一可变磁化向量；以及一第二软式磁层，该第二软式磁层被设置于该第二硬式磁层附近并具有一第二可变磁化向量；其中该第一及该第二硬式磁层被设置于该第一及该第二软式磁层之间，且该记忆单元被设计成允许一电流朝一第一方向通过，且该第一固定磁化向量和该第二固定磁化向量中之至少一者系与该电流之该第一方向成倾斜定位。如申请专利范围第10项之记忆单元，进一步包含一导电层，该导电层被设置于该第一及该第二软式磁层之间以使该电流通过。如申请专利范围第11项之记忆单元，其中该第一及该第二软式磁层被磁静电式且反平行地互相耦合以形成一通量闭锁结构。一种磁性记忆元件，该磁性记忆元件包含复数个如申请专利范围第10项之记忆单元。如申请专利范围第13项之磁性记忆元件，进一步包含一耦合至该等复数个记忆单元之导电线以使一电流通过。如申请专利范围第14项之磁性记忆元件，进一步包含复数个闸元件，各该闸元件透过该导电线被耦合至该等复数个记忆单元，以可控制地透过该导电线将一电流供应至各该记忆单元。如申请专利范围第15项之磁性记忆元件，其中该导电线被用以执行一写入动作及一读取动作。 |
