发明名称 气化器以及半导体处理系统
摘要 本发明涉及一种用于从液体原料获得处理气体的气化器(2),其包括规定了气化器(2)处理空间的容器(40)、以及在容器(40)内具有将液体原料以雾状向下方喷出的喷出口(30a)的喷射器。在喷出口(30a)的下侧,于容器(40)内配置有下部挡块(31),由此在喷出口(30a)与下部挡块(31)之间,规定了上述雾状液体原料的助动空间(G),在容器(40)的内侧面与下部挡块(31)之间,规定了与助动空间(G)连续的环状空间(F)。在容器(40)及下部挡块(31)上各自配置有第1以及第2加热器(48、33),第1以及第2加热器(48、33)加热通过环状空间(F)的雾状液体原料而生成处理气体。为从环状空间(F)中导出处理气体,在容器(40)上连接有气体导出流路(53)。
申请公布号 CN1955338B 申请公布日期 2010.12.01
申请号 CN200610163552.X 申请日期 2006.09.29
申请人 东京毅力科创株式会社;创研工业株式会社 发明人 冈部庸之;大仓成幸;氏家一夫
分类号 C23C16/448(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I 主分类号 C23C16/448(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 陈建全
主权项 一种从液体原料获得处理气体的气化器,其包括:容器,其规定了所述气化器的处理空间;喷射器,其在所述容器内具有以雾状将所述液体原料向下方喷出的喷出口;下部挡块,其在所述喷出口的下侧配置于所述容器内的底部上,在所述喷出口与所述下部挡块之间,规定了所述雾状液体原料的助动空间,在所述下部挡块与所述下部挡块周围的所述容器的内侧面之间,规定了与所述助动空间连续的环状空间;第1以及第2加热器,其分别配置于所述容器与所述下部挡块上,所述第1以及第2加热器对通过所述环状空间的所述雾状液体原料进行加热,从而生成所述处理气体;以及气体导出流路,为从所述环状空间导出所述处理气体而与所述容器相连接;所述气体导出流路的结构是将所述处理气体从所述环状空间沿横向导出;所述下部挡块是横断面形状为圆形或多边形的柱;所述环状空间被设定为,与所述气体导出流路连接的第1侧的第1宽度小于其相反的第2侧的第2宽度;所述第2宽度与所述第1宽度之比为3~1.5的范围。
地址 日本东京都