| 发明名称 | 功率半导体模块 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种具有改善的散热性能的功率半导体模块，该模块包括：阳极氧化金属基板，该基板包括金属板、形成在金属板的表面上的阳极氧化层、以及形成在金属板上的阳极氧化层上的电路层；功率器件，连接至电路层；以及外壳，安装在金属板上，用于限定一个密封空间，该密封空间容纳用于密封电路层和功率器件的树脂密封材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101901795A | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200910171654.X | 申请日期 | 2009.09.02 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 高山;崔硕文;俞度在;金泰贤;张范植;朴志贤 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L23/427(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种功率半导体模块，包括：阳极氧化金属基板，包括金属板、形成在所述金属板的表面上的阳极氧化层、以及形成在所述金属板上的所述阳极氧化层上的电路层；功率器件，连接至所述电路层；以及外壳，安装在所述金属板上，并用于限定一个密封空间，所述密封空间容纳用于密封所述电路层和所述功率器件的树脂密封材料。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||