| 发明名称 | 减少晶片处理过程中电弧产生的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种减少晶片处理过程中电弧产生的方法，包括：取晶片，利用机械手将该晶片置于反应室的加热盘上，其中该晶片半径大于所述加热盘半径；在晶片表面沉积与晶片颜色不同的薄膜；测量晶片置于加热盘的一面上至少四个径向方向上所沉积的薄膜的宽度，其中所述四个径向方向依次成90度；利用成180度的径向方向上的薄膜宽度之差控制所述机械手的运动。可见，其利用晶片背面形成薄膜的情况来调整机械手(robot)的换手(handoff)位置，解决了困扰技术人员已久的换手位置难于调节的问题。同时，利用该方法进行换手调节，可提高晶片中心与加热盘中心的对准程度，进而减少电弧的产生，提高半导体产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN101901749A | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200910052188.3 | 申请日期 | 2009.05.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周锋;金海亮 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种减少晶片处理过程中电弧产生的方法，包括：取晶片，利用机械手将该晶片置于反应室的加热盘上，其中该晶片半径大于所述加热盘半径；在晶片表面沉积与晶片颜色不同的薄膜；测量晶片置于加热盘的一面上至少四个径向方向上所沉积的薄膜的宽度，其中所述四个径向方向依次成90度；利用成180度的径向方向上的薄膜宽度之差控制所述机械手的运动。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||